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化合物半導體
磷化銦(InP)
高電場下,電子峰值漂移速度高于GaAs中的電子,是制備超高速、超高頻器件的良好材料; 
InP作為轉移電子效應器件材料,某些性能優于GaAs ?
InP的直接躍遷帶隙為1.35 eV,正好對應于光纖通信中傳輸損耗最小的波段; ?
InP的熱導率比GaAs好,散熱效能好 ?
InP是重要的襯底材料:制備半絕緣體單晶 ?

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商品詳情
磷化銦單晶是周期系第Ⅲ、V族化合物半導體?;瘜W分子式為InP。共價鍵結合,有一定的離子鍵成分。屬閃鋅礦型結構,為復式晶格,晶格常數是0.58688nm。磷化銦單晶的制備操作步驟包括如下兩道:
(1)合成磷化銦多晶。合成操作是讓高純的磷蒸氣與熔融高純銦直接發生作用,多采用水平定向結晶法和區域熔煉法。
(2)制備摻雜磷化銦單晶。一般采用高壓溶液提拉法,是將盛有磷化銦多晶的石英坩堝置于高壓設備內進行,用電阻絲或高頻加熱,惰性氣體保護(壓力3×106Pa)下讓晶體生長。為了提高InP單晶質量,降低位錯密度,可通過摻雜(如Sn、S、Zn、Fe、Ga、Sb等)以減少位錯。摻雜是往多晶中放人中間摻人物,使之在熔融和結晶過程中得予擴散實現。 

InP Wafers Specification
Type 導電類型 Semi-Insulated N-Type P-Type NP Type
Dopant  摻雜元素 Fe S, Sn Zn Undoped
Growth Method 長晶方式 VGF
Diameter 直徑 2", 3", 4", 6"
Orientation 晶向 (100)±0.5°
Thickness 厚度 (µm)  350-675um ±25um
OF/IF 參考邊 US EJ
Carrier Concentration 載流子濃度 - (0.8-8)*1018 (0.8-8)*1018 (1-10)*1015
Resistivity 電阻率 (ohm-cm) >0.5*107 - - -
 Mobility 電子遷移率 (cm2/V.S.) >1000 1000-2500 50-100 3000-5000
Etch Pitch Density 位錯密度(/cm2) <5000 <5000 <500 <500
TTV 平整度 [P/P] (µm) <10
TTV 平整度 [P/E] (µm) <15
Warp 翹曲度 (µm) <15
Surface Finished 表面加工 P/P, P/E, E/E

磷化銦(InP)?
 
磷化銦(InP)是重要的III-V族化合物半導體材料之一,是繼Si、GaAs之后的新一代電子功能材料。
 
由于InP在熔點溫度1335±7K時,磷的離解壓為27.5atm, 因此InP多晶的合成相對比較困難,單晶生長也困難得多,整個 過程始終要在高溫高壓下進行,所以InP單晶就難獲得,而且在高溫高壓下生長單晶,其所受到的熱應力也大,所以晶片加工就很難,再加上InP的堆垛層錯能較低,容易產生孿晶,致使高 質量的InP單晶的制備更加困難。
 
所以目前相同面積的InP拋光 片要比GaAs的貴3~5倍。而對InP材料的研究還遠不如Si、GaAs 等材料來得深入和廣泛。
 
      高電場下,電子峰值漂移速度高于GaAs中的電子,是制備超高速、超高頻器件的良好材料; 
                          InP作為轉移電子效應器件材料,某些性能優于GaAs ?
                          InP的直接躍遷帶隙為1.35 eV,正好對應于光纖通信中 傳輸損耗最小的波段; ?
                          InP的熱導率比GaAs好,散熱效能好 ?
                          InP是重要的襯底材料:制備半絕緣體單晶 ?
 
與GaAs材料相比,在器件制作中,InP材料具有下列優勢:
 
1InP器件的電流峰-谷比高于GaAs,因此,InP器件比GaAs 器件有更高的轉換效率;
2慣性能量時間常數小,只及GaAs的一半,故其工作頻率的 極限比GaAs器件高出一倍;
3熱導率比GaAs高,更有利于制作連續波器件; 4基于InP材料的InP器件有更好的噪聲特性;
 
InP作為襯底材料主要有以下應用途徑:
光電器件,包括光源(LED、LD)和探測器(PD、 APD 雪崩光電探測器)等, 主要用于光纖通信系統。
集成激光器、光探測器和放大器等的光電集成電路(OEIC)是新一代 40Gb/s通信系統必不可少的部件,可以有效提升器件可靠性和減小器件 的尺寸。
InP的禁帶寬度為1.34eV,InP高轉換效率的太陽能電池,具有高抗輻射 性能被用于空間衛星的太陽能電池,對未來航空技術的開發利用起著重 要的推動作用。
電子器件包括高速高頻微波器件(金屬絕緣場效應晶體管 MISFET 、HEMT高電子遷移率晶體管 和HBT異質結晶 體管 )
InP基器件在毫米波通訊、防撞系統、圖象傳感器等新的 領域也有廣泛應用。
 
目前,InP微波器件和電路的應用還都主要集中在軍事領 域,隨著各種技術的進步,InP微電子器件必將過渡到軍 民兩用,因此InP將有著不可估量的發展前景。 

公司地址:廣東省佛山市南海區桂瀾北路26號招商置地中心3座1815 備案號:粵ICP備19154843號
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