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單晶硅片
區熔硅片
什么是區熔硅片?
區熔硅片就是通過區熔法(Float Zone)長晶得到區熔單晶硅棒,然后把單晶硅棒加工成硅片,叫做區熔硅片。區熔硅片由于在長晶的過程中沒有跟石英坩堝接觸,硅材料處于懸浮狀態,因此長晶過程中受污染少。碳含量和氧含量更低,雜質更少,電阻率更高,適用于功率器件和某些耐高壓電子器件的制造。
區熔硅片在長晶過程中,通常不會像直拉法那樣摻入雜質元素硼(Boron)或者磷(Phos),因此區熔硅片大多是本征型,不摻雜的高阻片,電阻率大于>1000歐姆-厘米。但是某些情況下,也可以通過NTD中照和GD氣摻來實現對區熔硅棒的摻雜,以達到均勻性更好和更低的電阻率。
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商品詳情
Diameter 2"  3"  4"  5"  6"  8" 
Growth Method FZ
Orientation  < 1-0-0 > , < 1-1-1 > 
Type/Dopant Intrinsic, N Type/Phos, P Type/Boron
Thickness (um) 279 380 525 625 675 725
Thickness Tolerance Standard ± 25um ±50um
Resistivity(Ohm-cm) 1000-20000, Maximum Capabilities>20000, and 1-5
Surface Finished P/E , P/P, E/E, G/G
TTV (um) Standard < 10 um
Bow/Warp  (um) Standard <40 um <50um
Particle <10@0.3um


公司地址:廣東省佛山市南海區桂瀾北路26號招商置地中心3座1815 備案號:粵ICP備19154843號
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