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直拉硅片(CZ )
硅片
什么是單晶硅?什么是硅片?什么是單晶硅片?
    單晶硅片簡稱硅片,是一種圓形的片狀材料,其原子經過人工重新排列,是具有晶向的高純半導體材料。由于硅元素在占地殼質量的26%,所以單晶硅是目前主要的半導體材料。單晶硅是單質硅的一種形態。熔融的單質硅在凝固時硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核,如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒,則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅。集成電路級別的純度要求達到9N以上(99.9999999%),區熔單晶硅片甚至達到11N(99.999999999%)以上。通常通過直拉法(CZ)和區熔法(FZ)長晶得到,其晶向通過籽晶來決定。單晶硅是目前最重要的半導體材料,占據半導體材料市場的90%以上,是信息技術和集成電路的基礎材料。
 
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商品詳情
Diameter 2"  3"  4"  5"  6"  8"  12" 
Grade  Prime 
Growth Method CZ
Orientation  < 1-0-0 > , < 1-1-1 > , < 1-1-0 >
Type/Dopant P Type/Boron , N Type/Phos,  N Type/As, N Type/Sb
Thickness (μm) 279 380 525 625 675 725 775
Thickness Tolerance Standard ± 25μm, Maximum Capabilities ± 5μm ± 20μm ± 20μm
Resistivity  0.001 - 100 ohm-cm
Surface Finished P/E , P/P, E/E, G/G
TTV (μm) Standard < 10 um, Maximum Capabilities <5 um
Bow/Warp  (?m) Standard <40 um,  Maximum Capabilities <20 um <40μm <40μm
Particle <10@0.5um; <10@0.3um; <10@0.2um; 

硅片的生產通常有以下幾個步驟:
1)長晶,有直拉法(CZ)和區熔法(FZ)之分,由于熔融多晶材料會直接跟石英坩堝接觸,這樣石英坩堝的雜質會污染熔融多晶,直拉法拉直單晶碳氧含量比較高,雜質缺陷比較多,但是成本低,適合拉制大直徑(300mm)的硅片,是目前主要的半導體硅片材料。區熔法拉制的單晶,由于多晶原材料沒有跟石英坩堝接觸,因此內部缺陷少、碳氧含量低,但是價格貴,成本高,適合用于大功率器件和某些高端產品。
2)切片,拉制好的單晶硅棒需要切除頭尾料,然后滾磨成所需的直徑大小,切平邊或者V槽后,再切成薄硅片。目前通常用金剛線線切割技術,效率高,硅片翹曲度和彎曲度比較好。少部分特殊異形片,會用內圓切。
3)研磨:切片后需要通過研磨來去除切割面的損傷層,以保證硅片表面的質量,大概去除50um。
4)腐蝕:腐蝕是為了進一步去除切割和研磨造成的損傷層,以便為一下步的拋光工藝做好準備。腐蝕通常有堿腐蝕和酸腐蝕,目前由于環保因素,大多數都采用堿腐蝕。腐蝕的去除量會達到30-40um,表面粗糙度也可以達到微米級。
5)拋光:拋光是硅片生產的一道重要工藝,拋光是通過CMP(Chemical Mechanical Polished )技術進一步提高硅片的表面質量,使其達到生產芯片的要求,拋光后表面粗糙度通常Ra<5A。
6)清洗包裝:由于集成電路線寬越來越小,因此對提高的顆粒度指標要求也越來越高,清洗包裝也是硅片生產的一道重要工藝,通過兆聲清洗能夠洗凈附著在硅片表面>0.3um以上的大部分顆粒,再通過免清洗的卡塞盒真空密封包裝或者沖惰性氣體包裝,從而使硅片表面的潔凈度達到集成電路的要求。
 
     單晶硅是一種優良的高純半導體材料,IC級別的純度要求達到9N以上(99.9999999%),區熔單晶硅片甚至達到11N(99.999999999%)以上。通常通過直拉法(CZ)和區熔法(FZ)長晶得到,其晶向通過籽晶來決定。單晶硅是目前最重要的半導體材料,占據半導體材料市場的90%以上,是信息技術和集成電路的基礎材料。
公司地址:廣東省佛山市南海區桂瀾北路26號招商置地中心3座1815 備案號:粵ICP備19154843號
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