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單晶硅棒
硅棒
什么是硅棒?什么是單晶硅棒?
多晶硅通過直拉法CZ或者區熔法FZ長晶得到的棒狀單晶硅材料。一般的硅棒均指單晶硅棒,如果是多晶結構的“硅棒”,我們一般稱之為多晶硅碇。單晶硅棒按直接大小可以分成2英寸、3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸和18英寸,目前市場主流是8英寸和12英寸。單晶硅棒是生產硅片的原材料,其質量好壞,缺陷多少直接影響到硅片的質量。硅片碳含量和氧含量的高低、電阻率均勻性的好壞,以及內部缺陷的多少都是有硅棒長晶的時候決定的。
因此長晶技術是半導體材料的關鍵核心技術之一, 12英寸以上的長晶技術,只有少數大公司掌握,中國還是追趕階段。
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商品詳情
 
Diameter 2"  3"  4"  5"  6"  8" 
Grade  Prime 
Growth Method CZ FZ
Orientation  < 1-0-0 > , < 1-1-1 > , < 1-1-0 >
Type/Dopant P Type/Boron , N Type/Phos,  N Type/As, N Type/Sb
Oxygen Content 8-18 ppma  
Carbon Content    
Resistivity  0.001 - 100 ohm-cm
Life Time >50us  







 
本征及超高阻區熔硅單晶(FZ-Silicon)
通過區熔工藝拉制的低雜質含量、低缺陷密度,晶格結構完美的硅單晶,晶體生長過程中不引入任何雜質,其電阻率通常在1000Ω•cm 以上,主要用于制作高反壓器件和光電子器件。
中子輻照區熔硅單晶(NTDFZ-Silicon)
本征區熔硅單晶通過中子輻照可獲得高電阻率均勻性的硅單晶,保證了器件制作的成品率和一致性。主要用于制作硅整流器(SR)、可控硅(SCR)、巨型晶體管(GTR)、晶閘管(GRO)、靜電感應晶閘管(SITH)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、超高壓二極管(PIN)、 智能功率器件(SMART POWER)、功率集成器件(POWER IC)等,是各類變頻器、整流器、大功率控制器件、新型電力電子器件的主體功能材料,也是多種探測器、傳感器、光電子器件和特殊功率器件等的主體功能材料。
氣相摻雜區熔硅單晶(GDFZ-Silicon)
利用雜質的擴散機理,在用區熔工藝拉制硅單晶的過程中加入氣相雜質,從根本上解決了區熔工藝摻雜困難的問題,可得到任意導電型號、寬電阻率范圍、電阻率均勻性與中子輻照相當的大直徑低成本區熔氣摻硅單晶,其電阻率在0.01-200Ω.cm,少子壽命達500-2000?s,徑向電阻率不均勻性≤10%,。適用于制作各類半導體功率器件、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、高效太陽能電池等。
直拉區熔硅單晶(CFZ-Silicon)
采用直拉與區熔兩種工藝相結合的方式拉制硅單晶,產品質量介于直拉單晶和區熔單晶之間??蓳饺胩厥庠乩珂墸℅a)、鍺(Ge)等。采用直拉區熔法制備的新一代CFZ太陽能硅片,其各項性能指標均遠優于當前全球光伏產業使用的各類硅片,太陽能電池轉換效率高達24-26%。產品主要應用于特殊結構、背接觸、HIT等特殊工藝制作的高效太陽能電池上,并更為廣泛的用于LED、功率器件、汽車、衛星等眾多產品和領域中。
公司地址:廣東省佛山市南海區桂瀾北路26號招商置地中心3座1815 備案號:粵ICP備19154843號
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